蝕刻機與光刻機之（zhī）間有什麽不（bú）同之處？

蝕刻機與光刻機（jī）的區別在於：光刻機會將圖案印製到（dào）材料上，然後（hòu）蝕（shí）刻機根據這個圖案去除相應區（qū）域（無論是（shì）有圖案的（de）還是沒有圖案的部分），保留（liú）其它部分。與光刻相比，蝕刻（kè）操作相對簡單。可以把在矽（guī）晶體上進行加工比（bǐ）作木匠（jiàng）的工作（zuò）：光刻機相當於（yú）木匠在木材上用墨鬥劃線，而蝕刻機則像木匠使用鋸子、鑿子、斧頭和刨子等工具來進行加工（gōng）。雖然蝕（shí）刻機和光（guāng）刻（kè）機在（zài）性質上是類似的，但對精（jīng）度（dù）的（de）要求卻差（chà）異很大。木匠的精細工作通（tōng）常隻需（xū）達到毫米級別，而用於芯片製造的蝕刻機（jī）和光刻機則（zé）必須達到納米級別。比如，現在的手機芯片采用的是台積電的10納米技術（shù）。10納米有（yǒu）多小呢？假設（shè）將一根直徑為0.05毫（háo）米的（de）頭發絲平均（jun1）分成（chéng）5000段，那麽每一段的厚度大致就是10納米。
光刻機，也稱為（wéi）掩模（mó）對準曝光機、曝光係統（tǒng）或光刻（kè）係統，是一種重要的設備。一般的光（guāng）刻工藝（yì）包括（kuò）以下步驟：清洗和（hé）烘幹矽片表麵、塗（tú）覆底層（céng）、旋塗光刻膠、進行軟烘、對準曝光、後烘（hōng）、顯（xiǎn）影、硬烘以及刻蝕等過程（chéng）。
光（guāng）刻是指利用光線製作圖形的工藝。首先在矽片表麵均勻塗布光刻膠，然後將掩模（mó）上的圖形（xíng）通過光線轉印（yìn）到光刻膠上，這一過程相當於將（jiāng）器件或電路結構暫時“複製”到矽片上（shàng）。