等離（lí）子蝕刻機工藝說明

等離子（zǐ）蝕刻機蝕刻（kè）加工可分為兩個全過程：，等離子裏的有機化學（xué）活性組分，這種活性組分與液體原（yuán）材料化學（xué）物質發生反應，形成揮（huī）發物（wù）化學物質，同時向（xiàng）表麵擴散（sàn）、排（pái）出來。以（yǐ）CF4為例子，其電離度物F與S反應生成SiF4汽體，在含Si原材料的（de）表麵形成微切削構造。等離子蝕刻加工（gōng）就是指正離子蝕刻加工、磁控（kòng）濺射蝕刻加工和等離子灰化等過程。
等離子蝕刻機改性材料（liào）深度在於底材環境（jìng）溫度、等待時間各種材料蔓延特點，而改（gǎi）性材料的種類在於底材和工藝指標。等離子隻有在表麵上蝕刻加工好多個μm深，其表麵特性（xìng）出現了（le）改變，但大部分原材料表麵特性（xìng）仍然能夠（gòu）維持。該方法還可用於表層清理、幹固、鈍化處理、更改吸水性和黏附（fù）性（xìng）等，一樣可用（yòng）於半導（dǎo）體集成電路（lù）的製（zhì）造過程（chéng）中，還可以在光（guāng）學顯微鏡下（xià）注意到試品變軟。化學變化能（néng）通（tōng）過有機（jī）化學磁控濺射造成揮發物物質。常見氣體（tǐ）包含Ar、He、O2、H2、H2O、CO2、Cl2、F2和有機化（huà）學蒸汽等。可塑性無機（jī）化合物磁控（kòng）濺（jiàn）射比具備化學變化的等離子磁控濺射更貼近物理現象。
在蝕刻中，密度高的等離（lí）子源（yuán）具備（bèi）很多（duō）特點，能夠更準確地操縱產品工件規格，蝕刻加工率更高，原材（cái）料可選擇性更強。多層的等離子源能在低壓下運行，因此能變弱鞘層震蕩。在芯片的蝕刻加工環節中，選用（yòng）高密度的等離子源（yuán）蝕刻技術，必須運用單獨的微波射頻源對圓晶開展閾值電壓，使（shǐ）能（néng）量（liàng）和正離子互不相關。因為離子的動能一般在幾個電子伏數量級，因此當（dāng）正離（lí）子進到負鞘層後，根據動能加快會達到幾百電子伏（fú），而且具有較高的（de）導（dǎo）向性，從而使得正離（lí）子蝕刻加工具備各種各樣。